Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,784.6 16.6

Среднее значение в тестах

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 65

Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 18.9
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 3866

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

модули RAM