RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3463
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link