RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2731
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link