RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2731
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link