RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
65
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.2
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
6.4
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
1400
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link