Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,784.6 10.1

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 65

Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 14.5
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 2480

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

модули RAM