Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 10

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

63 65

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.0 2,784.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 63
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 10.0
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 2162

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston KHX2133C14/16G 16GB

Kingston KHX2133C14/16G 16GB

модули RAM