RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
52
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,906.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,672.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,906.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
698
2853
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link