Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Причины выбрать
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 36

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 10.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 32
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 16.5
Скорость записи, Гб/сек

10.3 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 19200

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2569 2713

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB

Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

модули RAM