RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3063
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8F 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link