RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
36
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3061
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link