RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
10.3
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3171
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link