RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
36
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2718
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link