RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3443
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link