RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3055
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link