RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3496
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO M418039 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link