RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
36
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3668
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link