RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3515
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link