RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Kingston 9905625-075.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2522
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link