Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Kingston KTP9W1-MID 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Причины выбрать
Kingston KTP9W1-MID 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 36

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.4 10.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 32
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 16.5
Скорость записи, Гб/сек

10.3 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 21300

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2569 3424

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB

Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB

модули RAM