RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.3
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2346
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link