RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
10.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2620
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link