RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3120
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link