RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3033
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link