RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3052
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link