RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3038
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link