RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Kingston 9905625-076.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
2631
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link