RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
2877
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KF552C40-16 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link