Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 10.8

Среднее значение в тестах

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 36

Около -16% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 31
Скорость чтения, Гб/сек

15.8 15.1
Скорость записи, Гб/сек

11.8 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 21300

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2497 3109

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

модули RAM