RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
1891
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link