RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
63
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
63
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
1863
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link