RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3809
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link