Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 28

Около 18% меньшая задержка

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.1 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 18.1
Скорость записи, Гб/сек

8.0 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 3693

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

модули RAM

Kingston 9905402-414.A00LF 2GB

Kingston 9905402-414.A00LF 2GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM