Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 42
    Около 45% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.1 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    23 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 14.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2269 left arrow 3170
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения