RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3731
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link