RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2834
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link