RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
23
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3192
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link