RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3074
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link