RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3039
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link