RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2104
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link