Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston 9905665-017.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 74

Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.0 6.7

Среднее значение в тестах

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.3 13.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 74
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 15.3
Скорость записи, Гб/сек

8.0 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 1583

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

модули RAM