Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston 9905665-021.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 23

Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 21
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 18.0
Скорость записи, Гб/сек

8.0 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 2772

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

модули RAM