RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
8.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2079
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link