RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston XRGM6C-MIB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
32
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3083
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link