RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston XVTW4H-MIE 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3489
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link