RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
32
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2942
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link