RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2515
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link