RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3068
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link