RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2674
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link