RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
41
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
2943
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link