RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2409
3824
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link